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Référence fabricant | MT40A256M16GE-083E AUT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A256M16GE-083E AUT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1.2GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (14x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A256M16GE-083E AUT:B TR-FT |
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
TE28F640P30B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P30T85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33B85A
Micron Technology Inc.
TE28F640P33T85A
Micron Technology Inc.
TE48F4400P0TB00A
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel