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Référence fabricant | MT40A256M16GE-075E:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A256M16GE-075E:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A256M16GE-075E:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1.33GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (14x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A256M16GE-075E:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A256M16GE-075E:B-FT |
TE28F256P30T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33B95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33BFA
Micron Technology Inc.
TE28F256P33T95A
Micron Technology Inc.
TE28F256P33TFA
Micron Technology Inc.
TE28F320J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
TE28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
TE28F640P30B85A
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