maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A1G8SA-062E:E
Référence fabricant | MT40A1G8SA-062E:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A1G8SA-062E:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A1G8SA-062E:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
Fréquence d'horloge | 1.6GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8SA-062E:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A1G8SA-062E:E-FT |
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP3SE50F780C4
Intel