maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
Référence fabricant | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 162-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 162-VFBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR-FT |
MT52L256M32D1PF-093 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel