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Référence fabricant | MT52L256M32D1PF-107 WT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L256M32D1PF-107 WT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 178-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 178-FBGA (11.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L256M32D1PF-107 WT:B-FT |
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF440F TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel