maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

| Référence fabricant | MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 64Gb (8G x 8) |
| Fréquence d'horloge | 166MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR-FT |

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABH3-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.

M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation

AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation

5SGXEA7N2F40C3N
Intel

5CGXFC4F6M11C7N
Intel

5SGXEB6R3F43C3
Intel

EP4SGX360KF43I4
Intel

XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.

LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K400EBC652-2X
Intel