maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
Référence fabricant | MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR-FT |
MT25TL512HBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28FW01GABA1HPC-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28FW01GABA1LPC-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel