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Référence fabricant | MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 2.8ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR-FT |
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1536M32D6BE-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4KA-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel