maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F512G08EMCBBJ5-6:B
Référence fabricant | MT29F512G08EMCBBJ5-6:B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F512G08EMCBBJ5-6:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Gb (64G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F512G08EMCBBJ5-6:B-FT |
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel