maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F512G08EMCBBJ5-6:B
Référence fabricant | MT29F512G08EMCBBJ5-6:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F512G08EMCBBJ5-6:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Gb (64G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F512G08EMCBBJ5-6:B-FT |
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel