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Référence fabricant | MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G16ABBDAM60A3WC1-FT |
MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C
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MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFACAWP-Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAL73A3WC1
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MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV
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MT29F32G08CBACAWP-IT:C TR
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MT29F32G08CBCDBJ4-10:D
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MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR
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