maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Référence fabricant | MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Tb (512G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR-FT |
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel