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Référence fabricant | MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR-FT |
MT29F2G16ABAFAWP:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBFAH4:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBFAH4:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel