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Référence fabricant | MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (4G x 1) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR-FT |
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-S:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBFAH4:F
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
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Intel