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Référence fabricant | MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F-FT |
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6R:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
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Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP3SE50F780C4
Intel