maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08CECBBH6-6R:B
Référence fabricant | MT29F256G08CECBBH6-6R:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CECBBH6-6R:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CECBBH6-6R:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CECBBH6-6R:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CECBBH6-6R:B-FT |
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel