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Référence fabricant | MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1.5Tb (192G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR-FT |
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAM62B3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAM72A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-Z:C
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation