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Référence fabricant | MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (4G x 1) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR-FT |
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-S:F
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel