maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
Référence fabricant | MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 32Gb (4G x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 100-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 100-VBGA (12x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR-FT |
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EECBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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