maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
Référence fabricant | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A-FT |
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBK7-6:B TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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