maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C
Référence fabricant | MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 32Gb (4G x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 100-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 100-VBGA (12x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C-FT |
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel