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Référence fabricant | MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08ABAEAH4-IT:E-FT |
W948D6FBHX6E
Winbond Electronics
W948D6FBHX6E TR
Winbond Electronics
W949D6DBHX5E
Winbond Electronics
W949D6DBHX5E TR
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W949D6DBHX5I TR
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W94AD6KBHX5E
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W94AD6KBHX5E TR
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W94AD6KBHX5I TR
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MT46H32M16LFCK-6 IT TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
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XC2VP40-6FGG676C
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XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
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A42MX09-VQ100M
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5SGSMD4E2H29C2L
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LFE2-35E-6FN672I
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LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation