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Référence fabricant | W949D6DBHX5E |
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Numéro de pièce future | FT-W949D6DBHX5E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W949D6DBHX5E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-VFBGA (8x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W949D6DBHX5E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W949D6DBHX5E-FT |
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32LFF5-10 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32LFF5-8
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32LFF5-8 IT
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32LFF5-8 TR
Micron Technology Inc.
MT48V4M32LFB5-10 IT:G
Micron Technology Inc.
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48V4M32LFB5-10:G
Micron Technology Inc.
MT48V4M32LFB5-10:G TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel