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Référence fabricant | MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 100-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 100-TBGA (12x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR-FT |
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation