maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR
Référence fabricant | MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1.125Tb (144G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR-FT |
MT29F1G01AAADDH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.