maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Référence fabricant | MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Tb (128G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A-FT |
MT25QL256ABA1EW9-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW9-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel