maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR
Référence fabricant | MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Tb (128G x 8) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR-FT |
MT29F16G08ABABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAM72A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABCBBH1-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABCBBH1-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABCBBH1-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel