maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F16G08ABCBBH1-12:B

| Référence fabricant | MT29F16G08ABCBBH1-12:B |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT29F16G08ABCBBH1-12:B |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT29F16G08ABCBBH1-12:B Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 16Gb (2G x 8) |
| Fréquence d'horloge | 83MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 100-VBGA |
| Package d'appareils du fournisseur | 100-VBGA (12x18) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F16G08ABCBBH1-12:B Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT29F16G08ABCBBH1-12:B-FT |

MT29F128G08AMAAAC5-Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMAAAC5:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABK3-10:A
Micron Technology Inc.

XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.

XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.

M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation

A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation

A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation

M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation

EP4CE10F17A7N
Intel

EPF10K30EFC256-3
Intel

LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K100EFC324-1
Intel