maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
Référence fabricant | MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR-FT |
MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFAAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFAABWP-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel