maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR
Référence fabricant | MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 128Gb (16G x 8) |
Fréquence d'horloge | 83MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR-FT |
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
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MT29E64G08CBCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
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MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
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MT29F128G08AECBBH6-6:B TR
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