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Micron Technology Inc. MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
- Numéro de pièce MFG
- MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
- quantité disponible
- 92520 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Micron Technology Inc.
- Brève description
- - IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Mémoire
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR.pdf
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR Caractéristiques
| Référence fabricant | MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 6Tb (768G x 8) |
| Fréquence d'horloge | 333MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR-FT |
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