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Référence fabricant | MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABBDAM68A3WC1-FT |
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBECBH6-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBECBH6-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CEAAAC5:A
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECBBH1-10IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CECGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation