maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F128G08CBECBH6-12:C
Référence fabricant | MT29F128G08CBECBH6-12:C |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F128G08CBECBH6-12:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F128G08CBECBH6-12:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 128Gb (16G x 8) |
Fréquence d'horloge | 83MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBECBH6-12:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F128G08CBECBH6-12:C-FT |
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EQHBBG2-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel