maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Référence fabricant | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Gb (64G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR-FT |
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C3DAMF-DC TR
Micron Technology Inc.
MT29C3DBAN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel