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Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Name: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (594 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

quantité disponible: 40510 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf

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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Caractéristiques

Référence fabricant	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Numéro de pièce future	FT-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND
Taille mémoire	512Gb (64G x 8)
Fréquence d'horloge	333MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.5V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	-
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR-FT

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