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Référence fabricant | MT29F1G01ABAFDWB-IT:F |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G01ABAFDWB-IT:F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (1G x 1) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G01ABAFDWB-IT:F-FT |
ECB440ABBCN-Y3
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1D-F-R
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1DAT-F-D
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel