maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDB4432BBBJ-1D-F-D
Référence fabricant | EDB4432BBBJ-1D-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDB4432BBBJ-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB4432BBBJ-1D-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-FBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBBJ-1D-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB4432BBBJ-1D-F-D-FT |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel