maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F
Référence fabricant | MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (1G x 1) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F-FT |
DS28EL15GA+T
Maxim Integrated
ECB440ABBCN-Y3
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1D-F-R
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel