maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F128G08CECGBJ4-5M:G

| Référence fabricant | MT29F128G08CECGBJ4-5M:G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT29F128G08CECGBJ4-5M:G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT29F128G08CECGBJ4-5M:G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 128Gb (16G x 8) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F128G08CECGBJ4-5M:G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT29F128G08CECGBJ4-5M:G-FT |

MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
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MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
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MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
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MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
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MT29E64G08CBCDBJ4-6:D
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MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
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MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
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