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Référence fabricant | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
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Numéro de pièce future | FT-MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F-FT |
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4HR-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
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Intel