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Référence fabricant | MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M32D2DS-053 AIT:D-FT |
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
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IS43DR16320E-25DBLI-TR
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IS43DR16320E-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR81280B-25DBLI
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IS43DR81280B-25DBLI-TR
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XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
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