maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSRT250160(A)
Référence fabricant | MSRT250160(A) |
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Numéro de pièce future | FT-MSRT250160(A) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSRT250160(A) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 250A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 15µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT250160(A) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSRT250160(A)-FT |
GSXD160A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF060A040S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS050A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS060A120S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF120A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D4
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D3
Global Power Technologies Group
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel