maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GHXS015A120S-D3
Référence fabricant | GHXS015A120S-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GHXS015A120S-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GHXS015A120S-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS015A120S-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GHXS015A120S-D3-FT |
MDD200-16N1
IXYS
MDD200-18N1
IXYS
DD340N16SHPSA1
Infineon Technologies
DD180N16SHPSA1
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DD340N22SHPSA1
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DD180N18SHPSA1
Infineon Technologies
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
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5SGXEA7K1F40C2L
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5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
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