maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSRT200140(A)
Référence fabricant | MSRT200140(A) |
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Numéro de pièce future | FT-MSRT200140(A) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSRT200140(A) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT200140(A) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSRT200140(A)-FT |
GSXD080A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF060A040S1-D3
Global Power Technologies Group
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel