maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMCJLCE36AE3
Référence fabricant | MSMCJLCE36AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMCJLCE36AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMCJLCE36AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 36V |
Tension - Panne (Min) | 40V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 58.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 25.8A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 100pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMCJ) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMCJLCE36AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMCJLCE36AE3-FT |
MASMLJ54A
Microsemi Corporation
MASMLJ54AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ54CA
Microsemi Corporation
MASMLJ54CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ58AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ58CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ6.0A
Microsemi Corporation
MASMLJ6.0CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ6.5A
Microsemi Corporation
MASMLJ6.5AE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
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LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
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XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
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APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
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EP2C15AF256C8N
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5AGXMA1D4F27C5N
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EP2SGX30CF780C3
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