maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMLJ58AE3
Référence fabricant | MASMLJ58AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MASMLJ58AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ58AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 58V |
Tension - Panne (Min) | 64.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 93.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 32A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ58AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMLJ58AE3-FT |
MASMCJLCE9.0AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ100A
Microsemi Corporation
MASMLJ100AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ100CA
Microsemi Corporation
MASMLJ100CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ110A
Microsemi Corporation
MASMLJ110AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ110CA
Microsemi Corporation
MASMLJ110CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ11A
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation