maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMLJ58AE3
Référence fabricant | MASMLJ58AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MASMLJ58AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ58AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 58V |
Tension - Panne (Min) | 64.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 93.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 32A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ58AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMLJ58AE3-FT |
MASMCJLCE9.0AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ100A
Microsemi Corporation
MASMLJ100AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ100CA
Microsemi Corporation
MASMLJ100CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ110A
Microsemi Corporation
MASMLJ110AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ110CA
Microsemi Corporation
MASMLJ110CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ11A
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation