maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSAD100-18
Référence fabricant | MSAD100-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MSAD100-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSAD100-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD100-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSAD100-18-FT |
MBRB30H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CT-1H
ON Semiconductor
MBRB30H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB41H100CT-1H
ON Semiconductor
MBRD640CTT4H
ON Semiconductor
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel