maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MS108E3/TR12
Référence fabricant | MS108E3/TR12 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MS108E3/TR12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS108E3/TR12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS108E3/TR12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS108E3/TR12-FT |
1N647-1
Microsemi Corporation
1N649-1
Microsemi Corporation
1N645-1
Microsemi Corporation
1N4153-1
Microsemi Corporation
1N5711-1
Microsemi Corporation
1N4150-1
Microsemi Corporation
1N5712
Microsemi Corporation
1N3595-1
Microsemi Corporation
1N3600
Microsemi Corporation
1N4446
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.