Référence fabricant | 1N4446 |
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Numéro de pièce future | FT-1N4446 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4446 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 20mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4446 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4446-FT |
JAN1N6629US
Microsemi Corporation
JAN1N6631US
Microsemi Corporation
JANTX1N4946
Microsemi Corporation
JANTX1N4942
Microsemi Corporation
JANTX1N4245
Microsemi Corporation
JANTX1N3957
Microsemi Corporation
JANTX1N3891
Microsemi Corporation
JANTX1N3890
Microsemi Corporation
JANTX1N3644
Microsemi Corporation
JANTX1N3611
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel