maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MRF5812G
Référence fabricant | MRF5812G |
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Numéro de pièce future | FT-MRF5812G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF5812G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Gain | 13dB ~ 15.5dB |
Puissance - Max | 1.25W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF5812G-FT |
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