maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MMBT918
Référence fabricant | MMBT918 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBT918 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBT918 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 600MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
Gain | 15dB |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT918 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBT918-FT |
BFP460H6433XTMA1
Infineon Technologies
BFP520E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP540E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP540ESDE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP620E7764BTSA1
Infineon Technologies
BFP640E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP650
Infineon Technologies
BFP650E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP740E6327HTSA1
Infineon Technologies
BGB 540 E6327
Infineon Technologies
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel