maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BGB 540 E6327
Référence fabricant | BGB 540 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BGB 540 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BGB 540 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3.5V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 16dB ~ 17.5dB |
Puissance - Max | 120mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-82A, SOT-343 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT343-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BGB 540 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BGB 540 E6327-FT |
UPA801T-T1-A
CEL
UPA802T-A
CEL
UPA802T-T1-A
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UPA806T-A
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UPA806T-T1
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UPA806T-T1-A
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UPA810T-A
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UPA810T-T1
CEL
UPA810T-T1-A
CEL
UPA811T-A
CEL
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGL030V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
EP4SE820F43C3N
Intel
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel
EP20K1500EFC33-1
Intel